工信部:《光伏制造行业规范条件(2018年本)》
光伏制造行业规范条件(2018年本) 为加强光伏行业管理,引导产业加快转型升级和结构调整,推动我国光伏产业持续健康发展,根据国家有关法律法规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》(国发〔2013〕24号),按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则,制定本规范条件。 一、生产布局与项目设立 (一)光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求,符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求,符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。 (二)在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的永久基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、生态保护红线和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应严格控制规模,对生态环境造成影响的应采取措施,逐步迁出。 (三)严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目,引导光伏企业加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建多晶硅制造项目,最低资本金比例为30%,其他新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例为20%。 二、生产规模和工艺技术 (一)光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。 (二)光伏制造企业应具备以下条件:在中华人民共和国境内依法注册成立,具有独立法人资格;具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力;具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质,每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币;申报符合规范名单时上一年实际产量不低于上一年实际产能的50%。 (三)光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求: 1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年; 2.硅锭年产能不低于1000吨; 3.硅棒年产能不低于1000吨; 4.硅片年产能不低于5000万片; 5.晶硅电池年产能不低于200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp; 8.逆变器年产能不低于 200MWp(微型逆变器不低于10MWp)。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求。 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2μs,碳、氧含量分别小于10和16PPMA;单晶硅片少子寿命大于10μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA。 3.多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%。 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。 6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%,不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%(单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和96.8%),微型逆变器相关指标分别不低于94.3%和95.5%。 (五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求。 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA。 3.多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%。 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于17%和17.8%。 5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。 (六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率首年分别不高于2.5%和3%,后续每年不高于0.7%,25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率首年不高于5%,后续每年不高于0.4%,25年内不高于15%。 三、资源综合利用及能耗 (一)光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准,严格保护耕地,节约集约用地。 (二)光伏制造项目电耗应满足以下要求: 1.现有多晶硅项目还原电耗小于60千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于50千瓦时/千克,综合电耗小于80千瓦时/千克。 2.现有硅锭项目平均综合电耗小于8.5千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合电耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。 3.现有硅棒项目平均综合电耗小于45千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克。 4.现有多晶硅片项目平均综合电耗小于45万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合电耗小于40万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。 5.电池项目平均综合电耗小于9万千瓦时/MWp。 6.晶硅电池组件项目平均综合电耗小于6万千瓦时/MWp;薄膜电池组件项目平均电耗小于50万千瓦时/MWp。 (三)光伏制造项目生产水耗应满足以下要求: 1.多晶硅项目水循环利用率不低于95%; 2.硅片项目水耗低于1400吨/百万片; 3.电池项目水耗低于1500吨/MWp。 (四)其他生产单耗需满足国家相关标准。 |
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